목차
- 서론: 2나노 전쟁의 서막, 왜 TSMC의 선점이 한국에 결정적 문제인가?
- 1. 2나노 기술 경쟁의 전장: TSMC N2, 삼성 SF2, 인텔 18A 비교 분석
- 2. 고객 확보와 시장 지배력: TSMC N2의 ‘슈퍼 고객사’와 한국 팹리스의 딜레마
- 3. 초격차를 심화시키는 ‘후공정’과 지정학적 리스크
- 결론: TSMC N2 시대, 한국 반도체가 집중해야 할 전략적 돌파구
서론: 2나노 전쟁의 서막, 왜 TSMC의 선점이 한국에 결정적 문제인가?
첨단 파운드리 기술 노드의 전략적 중요성
글로벌 시스템 반도체 파운드리 시장은 인공지능(AI), 머신러닝, 5G, 사물인터넷(IoT) 등 첨단 기술 수요 폭증에 힘입어 구조적인 성장을 지속하고 있습니다. 시장 분석에 따르면, 글로벌 파운드리 시장 규모는 2024년 1484.5억 달러 규모에서 2032년까지 약 2582.7억 달러로 연평균 성장률(CAGR) 5.7%를 기록하며 성장할 것으로 예측됩니다. 이러한 성장의 핵심 동력은 7나노 이하의 첨단 노드에 집중되어 있으며, 특히 5nm 미만 세그먼트는 향후 예측 기간 동안 가장 빠른 CAGR로 성장할 것으로 전망됩니다. 이는 기술 노드의 선두가 곧 시장 주도권과 고부가가치 창출 능력을 확보함을 의미합니다.
파운드리 기술 노드가 5나노 이하, 특히 2나노급으로 진입하면서, 단순한 제조 역량을 넘어 국가 안보 및 경제 주도권을 결정짓는 전략적 자원의 성격이 강해졌습니다. 초고성능 컴퓨팅(HPC)과 생성형 AI의 폭발적인 수요는 전력 효율성과 성능 향상에 극도로 민감하며, 이를 구현할 수 있는 유일한 길이 2나노 이하 공정에 있습니다. 따라서 2나노 공정을 누가 더 빠르고 안정적으로 시장에 공급하느냐가 향후 수년간의 글로벌 기술 패권을 좌우할 핵심 쟁점으로 부상했으며, 이 경쟁의 최전선에 있는 TSMC의 움직임은 한국 반도체 생태계에 결정적인 영향을 미칩니다.
TSMC N2의 기술적 의미와 시장 선점 현황
글로벌 파운드리 시장의 압도적 1위인 TSMC는 2나노(N2) 기술 개발을 순조롭게 진행하며 기술 리더십을 강화하고 있습니다. TSMC의 N2 기술은 최초로 1세대 나노시트 트랜지스터 기술인 GAA(Gate-All-Around)를 도입하며, 성능 및 전력 소비 측면에서 기존 노드 대비 완전한 세대적 진전을 목표로 합니다. 주요 고객사들은 이미 2나노 IP 설계를 완료하고 실리콘 검증에 착수했으며, TSMC 경영진은 N2 공정과 그 파생 기술들이 TSMC의 기술 리더십을 미래에도 확장할 것이라고 예상하고 있습니다.
주목할 만한 점은 TSMC가 GAA 구조를 3나노(N3)가 아닌 2나노(N2)에서 처음 도입했다는 전략입니다. 경쟁사인 삼성전자는 3나노에서 GAA(MBCFET)를 세계 최초로 도입하며 기술 혁신을 시도했으나, 초기 수율 문제에 직면하며 시장 선점에 어려움을 겪었습니다. 반면 TSMC는 3나노에서 상대적으로 리스크가 낮은 FinFET 구조를 고수하여 안정적으로 대규모 고객사를 확보하며 자금과 엔지니어링 경험을 충분히 축적했습니다. 이러한 리스크 분산 전략은 TSMC가 N2에서 GAA 도입이라는 기술적 변곡점에 진입하면서도, 이미 확보된 고객 충성도와 누적된 안정성을 기반으로 ‘기술적 안정성 확보’에 집중할 수 있는 환경을 조성했습니다.
결과적으로 TSMC는 후발 주자로서 GAA 기술 도입의 위험을 최소화하며 2나노 시장에서 압도적인 주도권을 확보하려 하고 있으며, 이는 한국 파운드리에게 기술적, 시장 점유율 측면에서 막대한 압박 요인으로 작용합니다.
1. 2나노 기술 경쟁의 전장: TSMC N2, 삼성 SF2, 인텔 18A 비교 분석
1-1. 차세대 트랜지스터 아키텍처: GAA 기술의 도입 배경 및 구현 방식
2나노 경쟁의 핵심은 트랜지스터 구조를 FinFET에서 GAA(Gate-All-Around)로 전환하는 것입니다. FinFET은 게이트가 채널의 세 면을 감싸는 구조로, 5나노 이하 미세 공정에서 전류 누설(Leakage Current)을 제어하는 데 물리적 한계에 도달했습니다. GAA는 이 한계를 극복하기 위해 게이트가 채널을 전 방향(4면)에서 완전히 감싸 전류 제어 능력을 획기적으로 향상시키고 소자 밀도를 높이는 혁신적인 기술입니다.
글로벌 3대 파운드리는 모두 GAA로 전환하고 있으나 그 구현 방식은 상이합니다. TSMC N2는 나노시트 GAA를 채택했으며, 삼성전자의 2나노 공정(SF2)은 채널 폭 조절이 가능한 MBCFET™(Multi-Bridge Channel FET) GAA를 사용합니다. 삼성전자는 이미 3나노에서 MBCFET을 세계 최초로 도입하며 GAA 경험을 선제적으로 축적했으나, TSMC는 N2에서 첫 GAA를 도입하며 기술적 완숙도에 집중하고 있습니다. 한편, 인텔은 18A 노드에 자사의 GAA 설계인 RibbonFET을 적용할 예정이며, 이는 인텔의 파운드리 재도약을 위한 핵심 기술입니다.
1-2. 핵심 지표 비교: 성능, 전력 효율, 트랜지스터 밀도 (PPA)
2나노 공정은 이전 3나노 공정 대비 현저히 개선된 PPA(Power, Performance, Area)를 약속합니다. TSMC N2는 기존 3nm 공정 대비 성능을 10%에서 15% 개선하고, 전력 소모는 25%에서 30% 감소시키며, 트랜지스터 밀도는 15% 증가시키는 것을 목표로 합니다. 삼성전자 SF2 역시 이전 3nm(SF3) 대비 12% 향상된 성능과 25% 향상된 전력 효율을 제공할 것이라고 밝혀 유사한 개선 목표를 제시하고 있습니다.
이러한 수치상의 목표 외에도, TSMC는 기술 완성도를 높이기 위한 추가적인 노력을 기울이고 있습니다. N2 공정에 저저항 RDL(Redistribution Layer)과 초고성능 MiM(Metal-Insulator-Metal) 커패시터를 개발하여 성능을 추가로 높이고 있습니다. 첨단 공정 경쟁에서 명목상의 PPA 목표치보다 훨씬 중요한 것은 ‘안정적인 수율에서 달성되는 실제 성능’입니다. 즉, 초기 양산 단계에서 수율 안정화에 성공하여 고객에게 고성능 칩을 안정적으로 공급할 수 있는 파운드리가 시장의 신뢰와 주도권을 확보하게 됩니다.
1-3. 양산 로드맵 및 수율 격차: TSMC N2의 안정성과 삼성 SF2의 도전 과제
현재 2나노 공정 경쟁의 핵심적인 차별화 요소는 양산 로드맵의 속도와 안정성입니다. TSMC N2는 2025년 하반기 대량 양산(HVM)을 목표로 하며, 위험 생산은 2024년 말에 이미 시작될 예정입니다. 업계 보고에 따르면, TSMC는 N2 공정에서 이미 60% 이상의 수율을 달성하며 순조로운 진행 상황을 보이고 있습니다.
삼성전자 SF2 역시 2025년 하반기를 모바일 칩 생산 목표 시점으로 잡고 있으며, 이 공정으로 제조될 첫 칩은 갤럭시 S26 시리즈에 탑재될 예정인 엑시노스 2600이 될 것으로 예상됩니다. 그러나 삼성 SF2의 초기 테스트 생산 수율은 현재 약 30~40% 수준으로 알려져 있으며, 2025년 4분기에 EUV 더블 패터닝 기술을 도입하여 목표 수율을 50%+까지 끌어올릴 계획입니다. 이 수치는 TSMC의 추정 수율(60% 이상)과 비교했을 때 10~20%p 이상의 안정성 격차를 의미합니다.
이러한 수율 격차는 2나노 시대 초기 시장 선점에 치명적인 영향을 미칩니다. AI 및 HPC 분야의 초대형 고객사들은 대량 생산 물량 확보와 제품 출하 일정의 안정성을 최우선으로 고려하며, 리스크를 극도로 회피합니다. 따라서 2025년~2026년 첨단 노드의 초기 양산 물량은 수율이 60% 이상으로 검증된 TSMC에 집중될 가능성이 매우 높습니다. 이는 한국 파운드리가 첨단 HPC 고객을 유치할 기회 자체를 구조적으로 축소시키며, 모바일 AP 위주의 생산에 머무르게 할 수 있습니다. 또한 수율 안정화의 지연은 후속 노드 로드맵에도 영향을 미쳐, 삼성의 1.4nm(SF1.4) 양산 시점이 원래 2027년에서 2028년 또는 2029년 이후로 연기될 가능성도 제기되고 있습니다.
다음은 2나노급 첨단 파운드리 공정의 주요 로드맵 및 기술 특징을 비교한 표입니다.
2나노급 첨단 파운드리 공정 로드맵 비교
| 카테고리 | TSMC N2 (나노시트 GAA) | 삼성전자 SF2 (MBCFET GAA) | 인텔 18A (RibbonFET) |
|---|---|---|---|
| HVM 목표 시점 | 2025년 하반기 (위험 생산 2024년 말) | 2026년 (모바일칩 양산 2025년 하반기 목표) | 2025년 초 목표 |
| 트랜지스터 구조 | GAA 나노시트 | GAA MBCFET™ (2세대 GAA) | RibbonFET (인텔 GAA 설계) |
| 추정 초기 수율 | 60% 이상 | 30~40% 초반 (SF2+ 목표 50%+) | – |
| 핵심 고객 | Apple, NVIDIA, AMD, MediaTek 등 HPC 중심 | Exynos 2600 (모바일), 외부 고객 확보 노력 중 | IFS 고객사 |
2. 고객 확보와 시장 지배력: TSMC N2의 ‘슈퍼 고객사’와 한국 팹리스의 딜레마
2-1. TSMC N2의 초기 고객 포트폴리오 분석 (Apple, NVIDIA, AMD 등 HPC 중심)
TSMC의 2나노 공정 선점은 단순히 기술 로드맵상의 우위가 아니라, 글로벌 시장 지배력을 공고히 하는 전략적 고객 확보에 그 핵심이 있습니다. TSMC N2의 첫 고객사 목록에는 Apple, AMD, NVIDIA, MediaTek 등 글로벌 기술 혁신을 주도하는 기업들이 포함되어 있으며, 특히 HPC(High Performance Computing) 워크로드 중심의 주문이 압도적입니다. 보고에 따르면, N2 초기 고객의 3분의 2는 HPC용 신규 칩을 설계하고 있으며, NVIDIA는 2027년 출하 예정인 차세대 AI 칩 Rubin Ultra에 2나노 공정을 활용할 계획입니다.
NVIDIA와 같은 초대형 고객이 TSMC N2를 선택하고 대규모 주문을 하는 것은 TSMC가 N2의 PPA 우위를 바탕으로 AI 칩 시장에서 제조 독점을 공고히 한다는 의미입니다. 최첨단 AI 칩 개발은 최소 2~3년에 걸쳐 파운드리와 긴밀하게 협력하며 공정을 최적화해야 하는 고난도 작업입니다. 이들이 TSMC를 파트너로 선택했다는 것은, TSMC가 단순한 생산자를 넘어 차세대 AI/HPC 생태계를 공동 설계하는 핵심 파트너(Co-Developer)로 자리매김했음을 뜻합니다. 이는 한국 파운드리가 첨단 노드에서 외부 HPC 고객을 유치할 기회 자체가 구조적으로 축소됨을 의미하며, 한국 파운드리가 모바일 AP 중심의 생산에서 벗어나 AI/HPC 시장의 핵심 공급자로 성장하는 데 큰 제약으로 작용할 수 있습니다.
2-2. 파운드리 격차가 한국 팹리스 생태계에 미치는 구조적 영향
파운드리의 기술적 격차는 한국의 팹리스 생태계 전반에 걸쳐 심각한 구조적 문제로 이어집니다. 팹리스 기업은 자체 제조 시설 없이 파운드리에 의존하므로, 최고 성능의 칩을 설계하기 위해서는 안정적으로 최첨단 노드를 이용할 수 있어야 합니다. 만약 자국 파운드리가 첨단 노드에서 수율 안정화에 어려움을 겪거나, 글로벌 대형 고객사 물량에 밀려 한국 팹리스의 생산 물량이 우선 배정되지 못할 경우, 한국 팹리스는 고성능 칩 개발을 위해 결국 TSMC에 의존해야 하는 이중고를 겪게 됩니다.
현재 한국의 반도체 생태계는 해외 경쟁사 대비 기술 격차뿐만 아니라, 인력 유출, 투자 경쟁력 약화, ‘한국 팹리스 칩 회사의 부족’, 그리고 첨단 패키징 시설 부족 등의 시스템적 취약점을 겪고 있습니다. 삼성전자는 이러한 국내 생태계의 약점을 해소하고자 노력하고 있습니다. 삼성은 ‘삼성 파운드리 포럼’과 ‘SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem) 포럼’을 개최하고, 2나노 GAA 공정까지 지원하는 ‘PDK Prime’ 솔루션을 팹리스 고객에게 제공할 계획을 밝히며 국내 생태계와의 협력을 강화하고 있습니다.
그러나 국내 팹리스 산업의 현 주소는 여전히 개선이 필요한 상황입니다. 국내 최대 팹리스인 LX세미콘은 삼성 파운드리와의 8인치 공정 협력을 강화하고 향후 12인치까지 확대를 논의하며 국내 생태계 강화에 참여하고 있습니다. 이는 디스플레이 시장의 저전력, 고해상도 니즈를 충족하기 위함입니다. 하지만 LX세미콘이 DDI(디스플레이 구동 칩) 매출 비중이 높아 IT 수요 둔화에 취약하며 차량용/전력 반도체 등 신사업에서 돌파구를 마련해야 하는 과제를 안고 있다는 점은 한국 팹리스 전반이 TSMC가 주도하는 HPC/AI 첨단 시장보다는 상대적으로 성숙된 공정에 집중하는 구조적 현실을 보여줍니다. 이는 파운드리-팹리스 간의 2나노급 첨단 기술 시너지를 창출하는 데 어려움을 가중시키는 요인입니다.
2-3. 글로벌 파운드리 시장 점유율 및 AI 시대의 주도권 예측
TSMC의 N2 성공적인 시장 진입은 글로벌 파운드리 시장의 점유율 구조를 더욱 공고히 할 것으로 예상됩니다. TSMC는 이미 2024년 1분기 기준 글로벌 파운드리 시장의 67.6%를 점유하며 압도적인 1위를 차지하고 있습니다. 2나노급 첨단 노드 시장에서의 기술적 우위는 5nm 미만 첨단 노드 시장에서의 격차를 ‘초격차’ 수준으로 벌릴 가능성이 높습니다.
AI 시대의 도래로 인해 컴퓨팅 인프라 공급망이 소수의 최첨단 파운드리, 즉 TSMC에 집중되는 현상은 전 세계적인 공급망 리스크로 인식되고 있습니다. 이러한 집중화는 한국 기업에게 제조 안정성을 바탕으로 공급망 다변화의 대안이 될 수 있는 기회를 제공할 수도 있지만, 2나노 공정의 안정화에 실패할 경우 TSMC의 시장 지배력이 영구적으로 고착화될 위험이 더 큽니다. TSMC N2의 기술 리더십은 향후 5년간 HPC 시장의 판도를 결정지을 핵심 요소가 될 것입니다.
3. 초격차를 심화시키는 ‘후공정’과 지정학적 리스크
3-1. 첨단 패키징(Advanced Packaging)의 중요성과 TSMC의 우위
무어의 법칙 둔화에 따라, 반도체 성능 향상을 지속하기 위한 핵심 경쟁 영역은 전공정(미세화)에서 후공정(첨단 패키징)으로 이동했습니다. AI 가속기와 HPC 칩은 여러 개의 칩렛(Chiplet)과 HBM(고대역폭 메모리)을 하나의 패키지에 통합하는 이종 집적(Heterogeneous Integration)을 필수적으로 요구하며, 이는 2.5D 및 3D 패키징 기술을 통해 구현됩니다.
이 분야에서 TSMC는 CoWoS (Chip-on-Wafer-on-Substrate) 기술을 통해 독보적인 위치를 점하고 있습니다. CoWoS는 2.5D 실리콘 인터포저를 사용하여 HBM과 로직 다이를 통합하며, 극도의 대역폭과 신호 밀도를 제공합니다. CoWoS는 NVIDIA를 포함한 주요 고객사의 AI GPU에 대량 적용되어 이미 안정성과 신뢰성이 검증되었으며, 이는 AI 칩 통합 솔루션의 산업 표준으로 자리 잡았습니다. TSMC는 또한 3D 스태킹 솔루션인 SoIC(System-on-Integrated-Chips)를 통해 미래 기술 로드맵을 선도하고 있습니다.
삼성전자도 I-Cube (2.5D 실리콘 인터포저)와 X-Cube (3D 다이 온 다이 스태킹) 등 다양한 첨단 패키징 솔루션을 보유하며 추격하고 있습니다. I-Cube는 CoWoS와 유사한 접근 방식을 취하며, X-Cube는 수직 TSV(Through-Silicon Vias)를 이용한 고밀도 집적을 목표로 합니다. 그러나 삼성전자는 칩 패키징 시장에서 5.9%의 점유율을 가지고 있으며, 2.5D 및 3D 첨단 패키징의 역량과 기술은 여전히 TSMC에 뒤처져 있는 것으로 평가됩니다.
첨단 패키징 경쟁력은 단순한 후공정 기술을 넘어섭니다. AI 칩 고객은 단순히 로직 칩뿐 아니라, HBM을 결합한 완벽하게 작동하는 패키지(Chiplet + HBM + Packaging)인 ‘턴키 서비스’를 요구합니다. TSMC는 N2의 안정적인 전공정 수율(60%+)과, 이미 NVIDIA와 대규모로 검증된 CoWoS 후공정을 통합하여 ‘최저 위험 턴키 솔루션’을 제공합니다. 업계 전문가들은 TSMC가 “수율이 검증된 칩(전공정)을 안정적으로 공급하면서 패키징(후공정)까지 책임지는 ‘종합적인 안정성'”에서 다른 업체가 따라올 수 없는 무기를 보유하고 있다고 분석합니다.
삼성은 전공정(SF2)의 수율 안정화 문제와 더불어, 후공정(I-Cube/X-Cube)에서도 TSMC 대비 경험 및 기술 격차를 동시에 겪고 있으며, 이 복합적인 안정성 격차가 한국 파운드리가 HPC 고객을 유치하는 데 가장 큰 시장 장벽이 되고 있습니다.
3-2. 한국 반도체의 지정학적 이중 과제: CHIPS Act와 중국 투자 제약
TSMC와의 기술 경쟁 심화와 더불어, 한국 반도체 산업은 미국 주도의 지정학적 리스크 관리라는 또 다른 대규모 자원 투입 과제에 직면해 있습니다. 미국은 2022년 제정된 CHIPS 및 과학법($52.7B 규모)을 통해 자국 내 첨단 반도체 제조 역량을 강화하고, 대만 및 한국에 편중된 공급망 의존도를 낮추려 합니다.
삼성전자는 CHIPS Act의 주요 수혜자로, 텍사스 테일러 공장에 370억 달러를 투자하여 제조 시설을 건설할 계획이며, 이를 위해 미국 정부로부터 47억 달러의 보조금 지급이 확정되었습니다. 이러한 대규모 미국 투자는 2나노 공정 개발과 맞물려 막대한 자본과 최정예 인력을 요구합니다.
동시에, CHIPS Act에 포함된 ‘가드레일(Guardrails)’ 조항은 보조금 수혜 기업이 우려 국가(중국) 내 첨단 시설의 제조 역량을 10년간 5% 이상 증설하는 것을 금지합니다. 이는 삼성전자(시안 NAND 생산의 40% 담당)와 SK하이닉스(중국 내 DRAM/NAND 대규모 투자)의 중국 내 기존 운영에 복잡한 제약을 가합니다. 한국 반도체 기업은 TSMC와의 2나노 경쟁에서 우위를 점하기 위한 첨단 노드 투자(SF2/SF1.4 로드맵)와, 지정학적 리스크 관리(CHIPS Act 준수 및 중국 사업 유지)라는 이중의 대규모 자원 투입 과제에 직면하게 되었습니다.
이로 인해 TSMC처럼 단일 목표(N2 안정화)에 집중하기 어려워지며, 핵심 경쟁력인 2나노 공정의 안정화 및 첨단 패키징 역량 강화에 필요한 자원 집중력이 분산되는 결과를 초래합니다.
3-3. 인력 및 시스템적 경쟁력: 한국 반도체 생태계의 근본적 취약점
최첨단 파운드리 경쟁의 성패는 결국 GAA와 EUV 더블 패터닝 등 초미세 공정을 안정적으로 운영하고 수율을 극대화할 수 있는 최고급 엔지니어링 및 운영 노하우의 싸움입니다. 기술 노드가 미세화될수록 수율을 1%p 올리는 것이 막대한 시장 경쟁 우위를 창출합니다.
TSMC가 N2에서 60% 이상의 높은 수율을 보이는 배경에는 수십 년간 파운드리 비즈니스 모델에 특화되어 육성된 전문 인력과, NVIDIA, Apple 등 고난도 고객과 함께 칩을 대량 생산하며 쌓아온 독보적인 데이터 및 노하우가 있습니다. 이러한 인력 및 시스템적 우위는 단기간에 모방하기 어렵습니다.
반면, 한국 반도체 산업은 인력 부족, 숙련 인력의 고령화, 인력 유출, 그리고 타 기술 산업 대비 상대적으로 낮은 산업 만족도 등 인재 유치 및 유지에 어려움을 겪고 있다는 지적이 계속되고 있습니다. 한국이 인력 유출 및 생태계 약화 문제를 해결하지 못한다면, TSMC의 초격차는 단순히 하드웨어 기술 노드에 국한되는 것이 아니라, ‘숙련된 인력과 운영 시스템’이라는 근본적인 격차로 고착화될 위험성이 매우 높습니다.
결론: TSMC N2 시대, 한국 반도체가 집중해야 할 전략적 돌파구
TSMC 2나노(N2) 공정의 선점은 한국 반도체 산업에 대한 강력한 구조적 압박으로 작용하고 있습니다. TSMC는 이미 N2의 안정적인 초기 수율(60% 이상)과 HPC 슈퍼 고객사 확보를 통해 2나노 시장의 주도권을 강력하게 선점했으며, 이는 2나노 경쟁이 AI 시대를 위한 제조 생태계 표준 확보 경쟁임을 분명히 보여줍니다. 한국 파운드리(삼성 SF2)는 수율 안정화라는 핵심 과제에 직면했으며, 이 경쟁은 전공정을 넘어 첨단 패키징 및 지정학적 리스크 관리라는 총체적인 시스템 경쟁으로 확대되고 있습니다.
한국 반도체가 2나노 시대를 성공적으로 극복하고 미래 경쟁력을 확보하기 위해서는 다음과 같은 전략적 돌파구에 집중해야 합니다.
첫째, SF2 수율의 조기 안정화와 턴키 솔루션 검증을 통한 HPC 고객 유치: 삼성전자는 SF2 수율을 TSMC 수준으로 조기에 끌어올리는 것이 최우선 목표이며, 이를 I-Cube/X-Cube 등 첨단 패키징 기술과 통합한 ‘최저 위험 턴키 솔루션’을 HPC 고객에게 적극적으로 검증해야 합니다. TSMC가 확보한 ‘종합적인 안정성’에 필적하는 대안을 제시하는 것이 외부 고객 유치의 핵심입니다.
둘째, 첨단 노드 SAFE 생태계 강화 및 팹리스 구조 개편 지원: 국내 팹리스 생태계와의 협력을 기존 레거시 공정에서 2나노 및 3나노 등 첨단 노드 접근성 보장으로 확대해야 합니다. 국내 팹리스(예: LX세미콘, 리벨리온, 딥엑스)가 DDI 중심의 구조적 한계를 극복하고 HPC/AI 등 고부가가치 칩 설계 분야로 진출하도록 유도하고, 파운드리와의 첨단 기술 협업 시너지를 창출함으로써 TSMC의 생태계 독점을 견제해야 합니다.
셋째, 인력 및 시스템 경쟁력 재정립: 파운드리 초격차는 결국 인력과 운영 시스템의 노하우에서 비롯됩니다. 정부와 기업은 인재 유출을 막고, 초미세 공정 운영 노하우를 축적할 수 있도록 파운드리 특화 인력 양성 및 엔지니어링 시스템 구축에 중장기적인 투자를 집중해야 합니다.
TSMC N2 시대는 한국 반도체가 기술적 격차뿐 아니라, 파운드리 생태계의 구조적 취약점이 한계로 드러나는 엄중한 시점입니다. 한국 반도체가 메모리 반도체의 성공을 시스템 반도체로 확장하고 1.4나노 이후의 패권을 확보하려면, GAA 기술 선제 도입과 같은 ‘하드웨어적 노력’을 넘어, 첨단 패키징, 팹리스 인재 양성, 그리고 지정학적 환경에 대응하는 유연한 공급망 전략을 포함하는 ‘총체적인 시스템 경쟁력’을 재정립해야 합니다. 이것이 한국 반도체 산업의 지속 가능한 미래를 위한 유일한 길입니다.
참고 자료
- 본 글은 글로벌 반도체 시장 분석 보고서, 파운드리 기술 동향 자료, 주요 기업의 공식 발표 자료 및 산업 전문 매체의 심층 분석을 종합하여 작성되었습니다.
- TSMC, 삼성전자, 인텔 등 주요 파운드리 기업의 기술 로드맵 및 실적 발표 자료
- 글로벌 반도체 시장 분석 기관의 산업 전망 보고서
- 반도체 기술 전문 매체 및 연구 기관의 기술 분석 자료
